傲世皇朝5分钟学会{昆仑平台注册}核心技巧，本实用新型涉及微机电技术领域，更具体地，本实用新型涉及一种MEMS传感器封装结构以及应用了该封装结构的电子设备。

　　目前，传感器封装结构的各个芯片通常采用叠片结构。例如，MEMS芯片和ASIC芯片叠放在PCB上。安装时，先将ASIC芯片焊接到PCB上，再将MEMS芯片焊接到ASIC芯片上，最后，将MEMS芯片和ASIC芯片分别通过键合引线与PCB通信连接。

　　这种结构MEMS芯片与ASIC芯片接触面积大，在焊接过程中容易形成结构应力，结构应力导致MEMS芯片的感应区发生形变，导致传感器的灵敏度降低。

　　此外，ASIC芯片需要预留出焊接键合引线的空间，这样使得ASIC芯片的体积通常比MEMS芯片大，不利于封装结构的轻薄化、小型化设计。

　　根据本实用新型的一个方面，提供一种MEMS传感器封装结构。该封装结构包括由外壳和印刷线路板围合形成的腔体，在所述腔体内设置有MEMS芯片，所述MEMS芯片具有用于采集环境信息的感应端和由所述MEMS芯片的侧部向内凹陷形成的连接端，向内凹陷部分被配置为用于减小所述连接端的连接面积。

　　可选地，所述向内凹陷部分的横截面为矩形，所述向内凹陷部分的高度为0.1-3mm，深度为0.05-2mm。

　　可选地，还包括与所述MEMS芯片通信连接的ASIC芯片，所述ASIC芯片位于所述封装结构内。

　　可选地，所述ASIC芯片位于所述腔体内，所述连接端与所述ASIC芯片固定连接，所述MEMS芯片的第一引线和所述ASIC芯片的第二引线中的至少一种从所述向内凹陷部分引出。

　　可选地，所述ASIC芯片埋入所述印刷线路板中，所述MEMS芯片被固定在所述印刷线路板上，所述MEMS芯片的第一引线由所述向内凹陷部分引出。

　　根据本实用新型的另一方面，提供一种电子设备。该设备包括本实用新型提供的所述封装结构。

　　本实用新型的一个技术效果在于，该封装结构的连接端具有向内凹陷部分，这种方式减小了与其他电子元件的连接面积，从而减小了MEMS芯片的结构应力，避免了感测区发生形变，提高了传感器的灵敏度。

　　此外，向内凹陷部分为MEMS芯片和其他电子元件提供了安装空间，可以在向内凹陷部分内设置连接结构，这种方式可以减小MEMS芯片或者其他电子元件的尺寸。顺应了电子设备小型化、轻薄化的发展趋势。

　　通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述，本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。

　　构成说明书的一部分的附图描述了本实用新型的实施例，并且连同说明书一起用于解释本实用新型的原理。

　　图中，11：外壳；12：PCB；13：MEMS芯片；14：第一引线：第二引线：感应端。

　　现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。

　　以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。

　　对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。

　　在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

　　应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

　　为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种MEMS传感器封装结构。该封装结构包括由外壳11和印刷线)围合形成的腔体。在腔体内设置有MEMS芯片13。MEMS芯片13具有用于采集环境信息的感应端20和用于固定MEMS芯片13的连接端18。感应端具有感应区。连接端18由MEMS芯片13的侧部向内凹陷形成。在此，向内凹陷部分19可以设置在连接端18的两侧，也可以是向内凹陷部分19围绕连接端18设置，还可以是由MEMS芯片13的一条边向内凹陷形成向内凹陷部分19。连接端18与其他电子元件进行连接，例如，通过锡焊焊接的方式进行连接。

　　该封装结构的连接端具有向内凹陷部分19，这种方式减小了与其他电子元件的连接面积，从而减小了MEMS芯片13的结构应力，避免了感测区发生形变，提高了传感器的灵敏度。

　　此外，向内凹陷部分19为MEMS芯片13和其他电子元件提供了安装空间，可以在向内凹陷部分19内设置连接结构。这种方式可以减小MEMS芯片13或者其他电子元件的尺寸。

　　图1示出了本实用新型的封装结构的一个实施例。在该例子中，封装结构包括外壳11、PCB12和MEMS芯片13。MEMS芯片13的连接端18通过锡焊焊接与PCB12固定在一起。向内凹陷部分19围绕连接端18设置。在此，向内凹陷部分19的横截面可以是但不局限于矩形、弧形、圆形、三角形或者梯形，只要能通过向内凹陷部分19减小结构应力，并便与加工即可。

　　MEMS芯片13的第一引线引出。第一引线的部分通信连接。这种方式有效地降低了MEMS芯片13的结构应力，并且充分利用了向内凹陷部分19的空间，避免了第一引线外露。

　　在一个优选的例子中，向内凹陷部分19的横截面为矩形，向内凹陷部分19的高度为0.1-3mm，深度为0.05-2mm。该尺寸可有效地减小MEMS连接时的结构应力，并且加工难度低。

　　例如，MEMS芯片13的基板为单晶硅晶圆或者多晶硅晶圆，通过刻蚀液刻蚀或者粒子束刻蚀的方法形成向内凹陷部分19。

　　图2示出了本实用新型的封装结构的另一实施例。在该例子中，封装结构还包括与MEMS芯片13通信连接的ASIC芯片15，ASIC芯片15位于封装结构内。ASIC芯片15用于将MEMS芯片13感测的信号进行放大后再输送。在此，ASIC芯片15可以位于腔体中，也可以被埋入PCB12或者外壳11中。

　　例如，如图2所示，ASIC芯片15位于腔体内。MEMS芯片13的连接端与ASIC芯片15固定连接。向内凹陷部分19位于MEMS芯片13和ASIC芯片15之间，以减小二者之间的连接面积，从而使结构应力得到消减。可选的是，MEMS芯片13的第一引线的第二引线中的至少一种从向内凹陷部分19引出，这种方式充分利用了向内凹陷部分19的空间，避免了第一引线和/或第二引线外露。

　　通常情况下，MEMS传感器封装结构的安装顺序为：先将ASIC芯片15和MEMS芯片13安装完毕，再用第一引线导通，用第二引线导通。这种方式需要预留出ASIC芯片15的连接空间，使得ASIC芯片15的面积大于MEME芯片13的面积。

　　首先、将ASIC芯片15固定到PCB12上，例如，通过锡焊焊接的方式焊接到PCB12上；

　　然后、将第二引线的一端连接到ASIC芯片15上，焊接位置与形成向内凹陷部分19的位置相对应，另一端连接到PCB12上，以实现ASIC芯片15与PCB12的通信连接；

　　接下来，将MEMS芯片13焊接到ASIC芯片15上，完成二者的固定连接。

　　由于利用了向内凹陷部分19的空间，故可以将ASIC芯片15设计成小型结构，顺应了电子设备小型化、轻薄化的发展趋势。

　　图3示出了本实用新型的又一种封装结构的实施例。在该实施例中，ASIC芯片15埋入印刷线被固定在印刷线的第一引线引出。在制作印刷线路板时，将ASIC芯片15制作进去。这种方式可以使MEMS传感器封装结构做的更薄，并且ASIC芯片15的结构更稳定，提高了传感器的可靠性。

　　本实用新型还提供一种电子设备。该电子设备包括本实用新型提供的封装结构。该电子设备具有灵敏度高的特点。

　　虽然已经通过示例对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。