首页-玄武平台登录-注册注册-官网，尤其涉及一种半导体领域内所使用的一种材料，更具体地涉及一种制备半导体引线框架的铁合金材料、由铁合金材料制备半导体引线框架的方法及由铁合金材料制备而成的半导体引线框架。

　　：在半导体行业中，集成电路产品上具有引线框架，用于连接芯片与外部组件。引线框架的功能是支撑和固定芯片，保护引线框架内部的电子组件，将集成电路组装成整体，支撑框架结构的外壳并负担与外部电路连接以传递电信号，同时向外界散发组件运行时产生的热量，从而起到导电导热的作用。上述这些功能的实现必然要求引线框架具备高强度、高导电、导热性好、可焊性良好、耐蚀性、塑封性、抗氧化性等一系列综合性能。目前，半导体封装基本上采用铜引线框架。然而，由于铜材料是半导体器件制造领域内重要的导电、导热材料。并且铜材料本身是一种贵重的有色金属，因此用铜材料制成的引线框架的成本高企，在一定程度上阻碍了半导体器件制造领域自身的向前发展。换句话说，引线框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位。然而，由于铜等有色金属稀缺性及产业的需求量激增造成在市场上铜材价格节节攀升，加重了半导体产品的生产成本，阻碍着半导体行业的健康发展。如何提高引线框架材料的性能及如何降低原材料的成本，寻求更优的替代品已成为集成电路发展过程中急需解决的问题之一。同时，铜引线框架因自身强度不足而导致半导体器件的引脚产生变形弯曲等缺陷，严重情况下会影响半导体器件之间的电连接，进而导致半导体器件的功能失效。此夕卜，现有的半导体引线框架制造方法具有一定导致引线框架使用性能严重下降的缺陷。因此，有必要寻求一种更加有效的材料、引线框架及其制造方法统来克服现有技术的缺点。

　　本发明的一个目的在于提供一种以铁为主要成分的铁合金材料，用以替换传统的制造半导体器件引线框架的金属材料，其合金材料成本低廉，且具备高强度、高导电、高导热和良好的可焊性、耐蚀性、塑封性、抗氧化性等综合性能。为实现上述目的，提供了一种铁合金材料，其包含按照重量比计算的如下组分铁99.922%，铜0.02%，镍0.02%，4艮0.025%，锰0.002%，碳0.007%,硅0.004%,并且该铁合金材料的硬度为HV150。本发明的另一个目的在于提供一种利用铁合金材料制备半导体引线框架的方法，其包括如下步骤(1)提供由铁合金材料制成的板体，其中该铁合金材料的组分重量含量为铁99.922%,铜0.02%,镍0.02%，银0.025%,锰0.002%,碳0.0070/0,硅0.004%;(2)将该板体加工为半导体引线)对该半导体引线框架的表面进行铜电镀处理，从而增强该半导体引线框架表面的电镀粘结力；(4)对该半导体引线框架的表面进行镍电镀处理，从而增强该半导体引线)对该半导体引线框架的表面进行镀铜处理。采用上述镀层工艺后，由本发明提供的铁合金制成的半导体引线框架相对于传统的由Fe-Ni42合金材料制成的半导体引线框架比较，其导电率可以明显地提高15至20倍，从而有效地提高了IC的质量及成品率。本发明的又一个目的在于提供一种半导体引线失合金材料制成，该铁合金材料包含按照重量比计算的如下组分铁99.922%,铜0.02%，镍0.02%,银0.025%,锰0.002%,碳0,007%,珪0.004%,并且该铁合金材料的硬度为HV150。采用上述合金材料的引线框架强度上刚好弥补了铜框架强度不足导致引脚变形弯曲等的缺陷。与现有技术相比，本发明的有益效果在于解决了半导体引线框架容易弯曲变形的问题，减少贵重金属的使用量，其合金材料成本低廉，并且全部釆用符合环保要求的原材料，产品满足环保要求，制备的半导体引线框架具备高强度、高导电、高导热和良好的可焊性、耐蚀性、塑封性、抗氧化性等综合性能。图1为本发明半导体引线所示框架沿着B-B方向的局部剖^L图；图3为图2所示结构I部位的局部放大图。具体实施方式下面结合具体实施方式对本发明做进一步的说明，但以下描述仅为本发明的较佳实施例而已，在此基础上的任何技术启示和改进均属于本发明所要求的保护范畴。本发明首先提供一种铁合金材料，其组分含量(重量比)如下铁99.922%4同0.020/0;镍0.02%;银0,025%,锰0.002%;碳0.007%;硅0.004%。铁合金材料的硬度为HV150。这种以铁为主要成分的铁合金材料可以替换传统的半导体器件引线框架制造金属材料。铁合金材料的成本低廉，且具备高强度、高导电、高导热和良好的可焊性、耐蚀性、塑封性、抗氧化性等综合性能。因此，这种4失合金材料是制造半导体引线框架最理想的材料。为此，本发明同时提供了利用上述铁合金材料制备半导体引线框架的方法。该方法包括如下步骤首先，提供由铁合金材料制成的板体，其中该铁合金材料的组分重量含量为铁99.922%,铜0.02%，镍0.02%,银0.025%,锰0.002%,碳0.007%,硅0.004%;其次，借助适当加工工艺比如冲压技术或电蚀刻技术将板体加工为半导体引线框架；接下来，对半导体引线框架的表面进行铜电镀处理，从而增强半导体引线框架表面的电镀粘结力；然后，对半导体引线臬电镀处理，从而增强半导体引线框架的防锈能力；最后，对半导体引线框架的表面进行镀铜处理，以配合后序对半导体引线框架引线脚的镀锡工艺。釆用上述镀层工艺后，由本发明提供的铁合金制成的半导体引线框架相对于由Fe-Ni42合金制成的半导体引线框架，其导电率可以提高15至20倍，从而有效提高了IC的质量及成品率。此外，优选地可以在半导体引线框架上包括芯片贴片台和引线与芯片焊接的近端的焊接位局部镀^^处理。经过实验测试，采用上述合金材料和电镀工艺方法加工形成的半导体引线中。如图所示，半导体引线(即其表面)，其上设置有靠近基层102的铜镀覆层104，设置在铜镀覆层104上的镍镀覆层106以及设置在镍镀覆层106上面的铜镀覆层108。此外，所述铜镀覆层108上可进一步设置有一层银镀覆层110。本发明提供的半导体引线框架具备高强度、高导电、导热性好、良好的可焊性、耐蚀性、塑封性、抗氧化性等一系列综合性能。实验要求如下表tabletableseeoriginaldocumentpage9/column/rowtable实验表明本发明满足于GB/T-2423.22-2002/IEC60068-2-14:1984标准要求。下表为本发明测试后与国际上的同类技术的比较实验项目生产厂家实验条件可靠性高温贮存美国NATIONAL65°C-160°C优意法半导体ST125°C-150。C优本发明150°C±10°C优问卩皿问》业蒸煮美国NATIONAL121°C±2°C/100%优意法半导体ST121°C±2。C/100%优本发明121°C±2°C/100%优实验表明，本发明已经达到或优于国际水平。与现有技术相比，本发明解决了半导体引线框架容易弯曲变形的问题，减少贵重金属的使用量，其合金材料成本低廉，并且全部采用符合环保要求的原材料，产品满足环保要求，制备的半导体引线框架具备高强度、高导电、高导热和良好的可焊性、耐蚀性、塑封性、抗氧化性等综合性能。权利要求1、一种铁合金材料，其特征在于其包含按照重量比计算的如下组分铁99.922％，铜0.02％，镍0.02％，银0.025％，锰0.002％，碳0.007％，硅0.004％，并且该铁合金材料的硬度为HV150。2、一种利用铁合金材料制备半导体引线框架的方法，其特征在于包括如下步骤(1)提供由铁合金材料制成的板体，其中该铁合金材料的组分重量含量为铁99.922%,铜0.02%,镍0.02%，银0.025%,锰0.002%,碳0.007%,硅0.004%;(2)将该板体加工为半导体引线)对该半导体引线框架的表面进行铜电镀处理；(4)对该半导体引线框架的表面进行镍电镀处理；(5)对该半导体引线框架的表面进行铜电镀处理。3、根据权利要求2所述的的方法，其特征在于进一步包括对该半导体引线框架的焊接位局部进行镀银处理的步骤。4、根据权利要求3所述的的方法，其特征在于对该半导体引线框架的焊接位局部进行镀^L处理的步骤包括对该半导体器件^I线框架的芯片贴片台、引线与芯片焊接的近端进行镀4艮处理。5、根据权利要求2所述的方法，其特征在于将该板体加工为半导体引线框架是通过冲压或蚀刻技术实现的。6、一种半导体引线框架，其特征在于该引线失合金材料制成，该铁合金材料包含按照重量比计算的如下组分铁99.922%，铜0.02%，镍0.020/0，银0.025%,锰0.002%,碳0.007%，珪0.004%，并且该铁合金材津牛的硬度为HV150。7、根据权利要求6所述的半导体引线框架，其特征在于所述引线框架包括基层，该基层上设置有靠近基层的铜镀覆层、设置在该铜镀覆层上的镍镀覆层以及设置在所述镍镀覆层上面的另一层铜镀覆层。8、根据权利要求7所述的半导体引线框架，其特征在于设置在所述镍镀覆层上面的另一层铜镀覆层上进一步设置有银镀覆层。全文摘要一种铁合金材料包含按照重量比计算的如下组分铁99.922％，铜0.02％，镍0.02％，银0.025％，锰0.002％，碳0.007％，硅0.004％，并且该铁合金材料的硬度为HV150。一种利用上述铁合金材料制备半导体引线框架的方法包括如下步骤提供由铁合金材料制成的板体；将板体加工为半导体引线框架；对半导体引线框架的表面进行铜电镀处理；对半导体引线框架的表面进行镍电镀处理；对半导体引线框架的表面进行镀铜处理。同时提供了一种半导体引线框架。本发明解决了半导体引线框架容易弯曲变形的问题，减少贵重金属的使用量制备的半导体引线框架具备高强度、高导电、高导热和良好的可焊性、耐蚀性、塑封性、抗氧化性等综合性能。文档编号C25D5/10GK101314832SQ公开日2008年12月3日申请日期2008年7月15日优先权日2008年7月15日发明者布伟麟申请人:科威(肇庆)半导体有限公司

　　设计和制备新能源电极材料研究材料在氢气、氧气、二氧化碳等能源小分子电催化转化中的应用，通过先进表征手段和理论模拟计算理解催化位点和反应机理，力图发展几种具有应用前景的电催化剂材料。

　　多酸团簇、金属有机框架材料的合成性能研究与计算模拟，主要包括： 1.多酸团簇-无机晶核共组装进行光催化分解水制氢与二氧化碳还原； 2.低维多孔材料的结构与催化性能的研究。

　　低维纳米材料（纳米颗粒、纳米线/管/框/片、二维材料）的电子显微分析以及基于电子显微分析结果的先进能源材料设计、制备和器件应用。

　　新能源材料设计、合成及应用研究。主要包括：1二氧化碳电催化还原、电催化分解水制氢等；2原子界面电极材料的制备及能量转换技术研究。