欧皇注册-首选注册· 真空电子材料、陶瓷金属封接与真空开关管用陶瓷管壳专辑·近期国外陶瓷－金属封接的技术进展高陇桥（北京真空电子技术研究所 ， 北京１０００１５）Ｓ ｏｍ ｅ Ｐ ｒ ｏｇｒ ｅ ｓ ｓ ｏ ｆ Ｒ ｅ ｃ ｅｎ ｔ Ｃ ｅ ｒ ａｍ ｉ ｃ ｔｏ Ｍ ｅ ｔａ ｌ Ｓ ｅ ａ ｌ Ｔ ｅ ｃｈｎ ｏ ｌｏｇ ｙ Ａｂ ｒ ｏ ａｄＧＡＯ Ｌｏｎｇ－ ｑ ｉａｏ（Ｂ ｅ ｉｊｉｎｇＶ ａ ｃｕｕｍ Ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏｎ ｉ ｃ ｓ Ｒ ｅ ｓ ｅａ ｒ ｃｈ Ｉｎ ｓ ｔ ｉ ｔｕ ｔ ｅ，Ｂ ｅ ｉｊｉｎｇ １０００１５，Ｃｈ ｉｎａ）Ａｂ ｓ ｔ ｒ ａ ｃ ｔ：Ｗ ｅ ｐ ｒ ｅ ｓｅｎ ｔ ａｎ ｏｖ ｅ ｒｖ ｉ ｅｗ ｏ ｆ ｐ ｒｏｇ ｒ ｅ ｓ ｓ ｏ ｆ ｒ ｅ ｃ ｅｎ ｔ ｃ ｅ ｒ ａｍ ｉ ｃ ｔｏ ｍ ｅ ｔ ａ ｌ ｓｅ ａ ｌ ｔ ｅ ｃｈｎｏ ｌｏｇｙ ａｂ ｒｏａｄ． Ｓｐｅ－ｃ ｉ ａ ｌ ｌｙ，ｔｈ ｅ ｃｏｎ ｔｅｎ ｔ，ｇ ｒ ａｎｕ ｌ ａ ｒ，ｓｈ ａｐｅ ａｎｄ ｕｎ ｉ ｆ ｏ ｒｍ ｉ ｔｙ ｏ ｆ ｍｏ ｌｙｂｄ ｅｎｕｍ ｐｏｗ ｅ ｒ ｉｎｇ ｍ ｅ ｔ ａ ｌ ｉ ｚ ｉｎｇ ｃｏｍｐｏ ｓ ｉ ｔ ｉｏｎ ａ ｒ ｅｉｎ ｔ ｒｏｄｕ ｃ ｅｄ． Ｔｈ ｅ ｒ ｅ ｌ ａ ｔ ｉｖ ｅ ｐ ｒｏｄｕ ｃ ｔ ｓ ｆ ｒｏｍ ａｂ ｒｏａｄ ａ ｒ ｅ ａｎ ａ ｌｙ ｚ ｅｄ．Ｋ ｅｙ ｗ ｏ ｒ ｄ ｓ：Ｃ ｅ ｒ ａｍ ｉ ｃ ｔｏ ｍ ｅ ｔ ａ ｌ ｓｅ ａ ｌ，Ｔ ｅ ｃｈｎｏ ｌｏｇｙ ｐ ｒｏｇ ｒ ｅ ｓ ｓ，Ｐ ｒｏｄｕ ｃ ｔ ｆ ｒｏｍ ａｂ ｒｏａｄ， Ａｎ ａ ｌｙ ｓ ｉ ｓ ｒ ｅｐｏ ｒ ｔ摘要： 本文叙...

　　 真空电子材料、陶瓷金属封接与真空开关管用陶瓷管壳专辑近期国外陶瓷－金属封接的技术进展高陇桥（北京真空电子技术研究所 ， 北京１０００１５）Ｓ ｏｍ ｅ Ｐ ｒ ｏｇｒ ｅ ｓ ｓ ｏ ｆ Ｒ ｅ ｃ ｅｎ ｔ Ｃ ｅ ｒ ａｍ ｉ ｃ ｔｏ Ｍ ｅ ｔａ ｌ Ｓ ｅ ａ ｌ Ｔ ｅ ｃｈｎ ｏ ｌｏｇ ｙ Ａｂ ｒ ｏ ａｄＧＡＯ Ｌｏｎｇ－ ｑ ｉａｏ（Ｂ ｅ ｉｊｉｎｇＶ ａ ｃｕｕｍ Ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏｎ ｉ ｃ ｓ Ｒ ｅ ｓ ｅａ ｒ ｃｈ Ｉｎ ｓ ｔ ｉ ｔｕ ｔ ｅ，Ｂ ｅ ｉｊｉｎｇ １０００１５，Ｃｈ ｉｎａ）Ａｂ ｓ ｔ ｒ ａ ｃ ｔ：Ｗ ｅ ｐ ｒ ｅ ｓｅｎ ｔ ａｎ ｏｖ ｅ ｒｖ ｉ ｅｗ ｏ ｆ ｐ ｒｏｇ ｒ ｅ ｓ ｓ ｏ ｆ ｒ ｅ ｃ ｅｎ ｔ ｃ ｅ ｒ ａｍ ｉ ｃ ｔｏ ｍ ｅ ｔ ａ ｌ ｓｅ ａ ｌ ｔ ｅ ｃｈｎｏ ｌｏｇｙ ａｂ ｒｏａｄ． Ｓｐｅ－ｃ ｉ ａ ｌ ｌｙ，ｔｈ ｅ ｃｏｎ ｔｅｎ ｔ，ｇ ｒ ａｎｕ ｌ ａ ｒ，ｓｈ ａｐｅ ａｎｄ ｕｎ ｉ ｆ ｏ ｒｍ ｉ ｔｙ ｏ ｆ ｍｏ ｌｙｂｄ ｅｎｕｍ ｐｏｗ ｅ ｒ ｉｎｇ ｍ ｅ ｔ ａ ｌ ｉ ｚ ｉｎｇ ｃｏｍｐｏ ｓ ｉ ｔ ｉｏｎ ａ ｒ ｅｉｎ ｔ ｒｏｄｕ ｃ ｅｄ． Ｔｈ ｅ ｒ ｅ ｌ ａ ｔ ｉｖ ｅ ｐ ｒｏｄｕ ｃ ｔ ｓ ｆ ｒｏｍ ａｂ ｒｏａｄ ａ ｒ ｅ ａｎ ａ ｌｙ ｚ ｅｄ．Ｋ ｅｙ ｗ ｏ ｒ ｄ ｓ：Ｃ ｅ ｒ ａｍ ｉ ｃ ｔｏ ｍ ｅ ｔ ａ ｌ ｓｅ ａ ｌ，Ｔ ｅ ｃｈｎｏ ｌｏｇｙ ｐ ｒｏｇ ｒ ｅ ｓ ｓ，Ｐ ｒｏｄｕ ｃ ｔ ｆ ｒｏｍ ａｂ ｒｏａｄ， Ａｎ ａ ｌｙ ｓ ｉ ｓ ｒ ｅｐｏ ｒ ｔ摘要： 本文叙述了 近期国外陶瓷－金属封接技术的进展， 特别是有关 Ｍｏ 粉的有关特性， 并对国外典型产品作了 分析报告。关键词： 陶瓷－金属封接； 技术进展； 国外产品； 分析报告中图分类号：ＴＢ ７５６文献标识码：Ａ文章编号：１００２－８９３５（２０１０）０４－００４７－０４１实验报告以速调管、行波管、磁控管、正交场放大器、返管波、回旋器件等为代表的真空电子功率器件， 近年来取得了 较大的 进展， 其频率已 经 覆盖了１ ＧＨｚ 到１００ ＧＨｚ 的范围， 在雷达、 电子战、 通讯、 工业加热、医疗设备、高能物理、空间探测和科学研究等方面取得了广泛的应用［１］。当今真空电子器件与固态器件在市场上进行着激烈的 竞 争， 前 者 主 要 优 势 在 于 高 频 率 （ｆ ３０ＧＨｚ） 和大功率（例如，１． ３ ＧＨｚ，Ｐ １０ ＭＷ）， 表１为多注速调管基本参数［２］。表１多注速调管基本参数型号工作频率／ＧＨｚ阴极电压／ｋＶ工作电流／Ａ阴极负载／Ａ／ｃｍ２输出 功率／ＭＷ平均输出 功率／ｋＷ法１８０１１． ３１１７１３１５． ５１０１５０美ＣＰ Ｉ ＶＫＬ－ ８３０１型号１． ３效率／％１２０１４１２． ２１０１５０增益／ｄＢ线圈功率／ｋＷ寿命／ｈ １ ｄＢ 带宽／ＭＨｚ法１８０１６５４８． ２６４００００美ＣＰ Ｉ ＶＫＬ－ ８３０１６４４８－－６． ９一些更高峰值功率的多注速调管尚处于设计阶段或正 在 制 造 中， 其 中 包 括 美 国 ＣＣＲ（Ｃ ａ ｌａｂａ ｚ ａ ｓＣ ｒ ｅ ｅｋ Ｒ ｅ ｓ ｅ ａ ｒ ｃｈ） 正 在 研 制 的 输出 功 率 在５０ ～１５０ＭＷ 的 Ｘ 波段多注速调管， 日 本 ＫＥＫ 正在设计阶段的１５０ ＭＷ、Ｘ 波段多注速调 管， 法国 ＴＥＤ 公司计划研制的２７ 注５０ ＭＷ 的Ｌ 波段多注速调管。进入２１ 世纪以来， 固态功率器件迅速发展， 特别是第三代半导体材料， 宽禁带Ｇ ａＮ，Ｓ ｉＣ 器件突破了许多 高压技术， 输出 功 率在 ＵＨＦ／ＶＨＦ 到 Ｘ 波段超过了３０ Ｗ（图１）［３］。近期我国电力 电子器件的发展更为迅速［４］，８０年代通过引 进消化、 吸收、 再创 新， 我国 晶闸管的技术水平连续迈进了３ 英寸４５００ Ｖ，４ 英寸５５００ Ｖ，５英寸３０００ Ａ、７２００ Ｖ 的台阶。 目 前６ 英寸４５７０ Ａ、８５００ Ｖ 超大功率晶闸管的研制成功并投入生产， 成功地用于特高压直流输电， 使我国 晶闸管的研制能力和生产水平站在世界的最前列。所有这些军工、 民用 高新技术产品 都涉及到高０３